دانشمنداني از مؤسسة تحقيقات فيزيکي و شيميايي ژاپن(riken) موفق به ساخت نانوسيم‌هاي الکتريکي با ضخامت يک نانومتر شده‌اند که روي آنها لايه‌اي از عايق قرار دارد. به گزارش سرويس دانش و فناوري برنا، با اين کار دانشمندان يک قدم در مسير توسعه افزاره‌هاي حافظه‌اي ابرچگال و ماشين‌هاي مولکولي، و تبديل به واقعيت کردن آنها نزديک‌ترگشته‌اند. اين محققان در فرايندي که شامل ترکيبي از مولکول‌هاي آلي رسانا و نارساناست، به گونه‌اي که خودشان را در يک پيکربندي مطلوب منظم مي‌کنند، توانستند بلورهاي نانوسيمي عايق‌بندي‌شده را رشد دهند. درست است که دانشمندان در گذشته موفق به ساخت نانوسيم‌هايي از نانولوله‌هاي کربني، فلزات و ساير مواد شده‌اند، ولي چالش بزرگ باقي‌مانده، نحوه عايق‌کاري اين سيم‌هاي ريز براي قابل استفاده بودنشان در مدارهاي مجتمع است، تا از ايجاد اتصال کوتاه جلوگيري شود. چالش ديگري هم وجود دارد و آن گسترش فناوري است که بتواند اين نانوسيم‌ها را در يک آرايه منظم قرار دهد. محققان riken با توسعه يک فرايند رشد نانوسيم که از مشتقات تتراثيافول والن(ttf) – يک مولکول آلي که رساناي الکتريکي است – و مولکول‌هاي خنثي ـ که شامل يد نارسانا(hftieb) هستند و مي‌توانند به‌صورت خودآرا به بلورهاي نانوسيمي عايق‌بندي‌شده تبديل شوند ـ توانستند بر اين چالش‌ها فايق آيند. اين محققان که با موفقيت اين نانوسيم‌ها را داخل الگوهاي منظم، نظم‌دهي کرده‌اند؛ توانستند با کنترل ساختار بلوري، ساخت نانوسيم‌هاي دو- رسانا و نيز عايق‌کاري آنها با ضخامت‌هاي مختلف را نشان دهند. نتايج به دست‌آمده نشان مي‌دهد که به‌زودي امکان مهندسي اين نانوسيم‌هاي عايق‌بندي‌شده، در کاربردهاي عملي ممکن خواهد شد. اين محققان مي‌گويند که نانوسيم‌هاي عايق‌بندي‌شدة riken، قابليت استفاده به‌عنوان يک مؤلفة اساسي در محيط‌هاي ذخيره‌سازي سه‌بعدي ابرچگال ـ که برمبناي آرايه‌هاي حافظه‌اي مولکولي هستند ـ را دارند. آنها نشان داده‌اند که افزاره‌هاي حافظه‌اي ساخته‌شده با اين فناوري، قادر به ذخيرة صد پتابايت(صد ميليون گيگابايت) داده در هر سانتي‌متر مکعب است که اين مقدار حدود400 هزار برابر بيشتر از حافظة هارد رايانه‌هاي روميزي امروزي(gb250) است که به اندازه يک حبه قند است. اين محققان اضافه کردند كه با استفاده از اين فناوري در مدارهاي منطقي، انقلابي در صنعت الکترونيک ايجاد خواهد شد.
